2026年，半导体高端靶材面临‌30%-50%的供需缺口‌，部分紧缺品类（如钴靶、钽靶）订单已排至‌2027年底‌ 。‌
‌整体缺口幅度‌：受AI算力、HBM存储及先进封装需求爆发驱动，高端靶材短期供需缺口维持在‌30%-50%‌区间，价格持续上行 。
‌结构性紧缺‌：12英寸超高纯‌钴靶、钽靶、钨靶‌最为紧缺。其中12英寸钴靶因技术壁垒极高，国内头部企业市占率虽达100%，但仍无法满足下游晶圆厂扩产节奏，出现“有价无货”现象 。
‌原材料制约‌：上游铟、钽等关键金属受资源管制及价格波动影响（如铟价创十年新高），叠加高纯提纯产能扩张滞后，进一步加剧了成品靶材的供给紧张 。‌
‌需求端激增‌：AI服务器带动HBM需求，单颗HBM芯片靶材用量达传统存储的5倍；同时7nm及以下先进制程对靶材纯度要求提升至7N（99.99999%），验证门槛极高 。 ‌供给端壁垒‌：晶圆厂认证周期长达‌1-3年‌，靶材厂商扩产周期需‌2-3年‌，产能释放严重滞后于需求爆发 。

上市公司：江丰电子、欧莱新材、有研新材、安泰科技、隆华科技、阿石创